晶圆 | 三星3nm工艺试生产！首个客户为中国比特币挖矿芯片厂

CINNO Research产业资讯，三星电子最快将于本周开始进行3纳米(nm)Foundry工艺“试生产”中国比特币。据悉，首个客户是中国的比特币挖矿用半导体公司。据传，已经从美国高通收到了预订订单，部分物量可以委托生产。虽然不是一般意义上的“量产”，但业界评价称，作为采用GAA(Gate -All-Around)工艺试生产的全球第一个3nm工艺，这很有意义。

根据韩媒Thelec报道，据半导体行业6月28日消息，三星电子计划最早在本周内投入采用GAA工艺的3nm产品试生产中国比特币。

GAA是利用四面的新一代晶体管结构，与之前以电流流动的通道为三面的FinFET结构不同中国比特币。与FinFET结构相比，具有更精细的电流调节能力和更高的功率效率，被认为是实现超微半导体线幅必不可少的技术。

据悉，3nm GAA工艺的首家客户是中国比特币挖矿用半导体(ASIC)Fabless厂商PanSemi中国比特币。据了解，与三星Foundry的最大客户高通已经达成了协议，随时可以将利用3nm工艺的芯片委托给三星生产。

据分析，这是针对中国台湾Foundry厂商TSMC的3nm制程出现问题，提前确保三星电子的3nm工艺物量的战略中国比特币。之前高通曾打算利用三星电子的3nm制程生产Mobile AP(应用程序处理器)，三星电子因不符合良率条件，曾将物量委托给TSMC。

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三星电子在此前设立了将3nm GAA工艺在今年上半年全球首次量产应用的目标中国比特币。上一季度业绩公布后的电话会议中，也重申了这一立场。此次试生产将使三星电子的“3nm上半年量产”的承诺得以兑现。不过，据了解，此次生产并非一般意义上的大规模量产，而是更接近于产品测试的试生产。

业内人士认为，仅凭三星电子全球首次生产GAA 3nm工艺，就颇有意义中国比特币。此前，三星电子一直被认为因3nm工艺相关IP(知识产权)不足、良品率不佳等原因，导致3nm工艺开发不顺利。最近，也有观察将推迟3nm工艺量产的日程表。对此，三星电子正面反驳称：“3nm量产日程如期顺利进行，上半年将开始量产。”

业界相关人士表示：“即使处于试生产阶段，三星电子也能提高3nm GAA工艺的技术实力和良率，从而确保客户”，“但是明年三星电子的新一代Mobile AP是否会应用3nm仍不明朗中国比特币。”有分析称，实际利用3nm工艺的大规模量产时间还有待观察。也有部分人士认为，三星电子正式量产GAA 3nm的时间最早在今年年末，最晚在明年上半年。

同时，TSMC正在准备量产基于FinFlex的3nm工艺(N3)中国比特币。PinFlex根据芯片设计人员希望的各种选项可定制提供FinPET的结构。例如，基于3N工艺，频率最高的3-2 FIN，性能与效率之间均衡的2-2 FIN，重视功率效率的1-2FIN可以在同一Die上混合使用。基本的N3工艺将于今年下半年开始量产，改良工艺在此之后开始量产。

TSMC今年早些时候也曾被指出3nm工艺良品率低于预期的问题，但与三星电子一样强调计划没有变动中国比特币。TSMC董事长刘德音在本月6日举行的股东说明会上表示：“今年下半年将开始量产3N工艺，改良工艺将在一年后投入量产。”

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